论坛简介：
当前，集成电路产业正经历“后摩尔时代”的技术变革。随着传统硅基器件逼近物理极限，新材料、新结构与新架构的创新成为突破算力瓶颈的关键路径。第三代半导体材料展现出高频高压优势，二维材料的原子级厚度特性为超低功耗器件带来可能，而高迁移率沟道材料的异质集成正重塑晶体管性能边界。在器件层面，环栅晶体管、负电容晶体管等新型结构突破传统平面器件局限，存算一体架构与神经形态器件则为人工智能芯片开辟新赛道。与此同时，三维集成技术通过TSV、混合键合等工艺实现多维互连，推动芯片性能的指数级提升。
然而，技术迭代面临多重挑战：新型材料的界面缺陷控制、原子级制造工艺的稳定性、异质集成带来的热应力管理，以及面向新器件的EDA工具链缺失等问题制约产业化进程。全球半导体竞争格局加速重构背景下，亟需打通“材料-器件-电路”创新链，构建跨学科协同研发体系。本次活动聚焦三大维度：①面向高性能电、光器件的异质集成材料技术；②面向人工智能、物联网应用的新器件和通算融合系统设计；③面向智能医疗和智能计算的先进集成电路设计。通过产学研深度对话，推动基础研究向产业应用的转化，为构建自主可控的集成电路技术生态提供战略支撑。
承办单位：
上海交通大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、东南大学
主席：
王志华
清华大学教授
吴幸
华东师范大学教授
召集人：
祁亮
上海交通大学副教授
李鹤
东南大学教授
张师斌
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员
秘书：
黄银山
上海交通大学博士后