论坛简介：
近年来，以氮化镓、碳化硅、氧化镓、金刚石、氮化铝等为代表的宽禁带半导体技术发展迅猛，在高功率射频器件、高效率功率器件、短波长光电器件等方面呈现出优异的性能，在无线通信、雷达、电子对抗、电能转换等领域具有重大战略应用价值,成为当前国际半导体前沿研究的热点与竞争制高点之一。
宽禁带半导体论坛旨在邀请国内外该领域的知名专家、青年学者和产业代表齐聚一堂，交流分享最新的科研与产业进展，促进产学研技术交流与深度合作，推动我国宽禁带半导体领域创新能力和产业实力的提升。
本论坛拟邀请宽禁带半导体材料、器件、电路与应用等方面的技术专家，探讨宽禁带半导体核心技术研发进展及面临的挑战和难题，以及如何进一步通过技术研发和产学研合作推动宽禁带半导体技术与产业化发展。本论坛将让与会者能够全方位了解宽禁带半导体技术和产业最新发展现状，探讨未来发展方向，共同促进我国宽禁带半导体市场的健康快速发展。
承办单位：
宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室，西安电子科技大学广州研究院，西安电子科技大学广州第三代半导体创新中心
论坛主席：
郝跃，中国电子学会副监事长，中国科学院院士，国家自然科学基金委员会信息学部主任，西安电子科技大学教授，中国电子学会优秀博士学位论文指导教师
论坛召集人：
张进成，中国电子学会理事，西安电子科技大学副校长、教授
论坛秘书：
张苇杭，西安电子科技大学教授
